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稳压二极管

[拼音]:wenya erjiguan

[外文]:voltage stabilizing diode

一种用于稳定电压的单PN结二极管。它的伏安特性、电路符号如图所示。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时,将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒,形成大的反向电流,此时电压基本不变,称为隧道击穿。当反向电压比较高时,在位垒区内将可能产生大量载流子,受强电场作用形成大的反向电流,而电压亦基本不变,为雪崩击穿。因此,反向电压临近击穿电压时,反向电流迅速增加,而反向电压几乎不变。这个近似不变的电压称为齐纳电压(隧道击穿)或雪崩电压(雪崩击穿)。

稳压二极管工作于反向击穿状态(图a)。反向电流在-IZK和-IZM之间时,二极管两端的电压基本不变,等于UZ,即为稳定电压。对硅稳压二极管而言,稳定电压在5V以下的器件靠齐纳电压工作,稳定电压在7V以上的器件靠雪崩电压工作,两者之间的器件两种形式的击穿都可能起作用。

电流IZK是器件起稳压作用的最小工作电流,而IZM则是最大可利用的齐纳电流或雪崩电流,其值受稳压二极管耗散功率的限制。IZ是相应于稳定电压UZ的工作电流。最大工作电流的范围从几个毫安到几十安。常用稳压二极管的稳定电压标称值约在2~200V的范围内。

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